英特尔EUV,95%良率,量子点器件
数据来源: 半导体芯闻
发布时间:2022-10-11

英特尔的第二代硅自旋测试芯片显示了 12 个量子点和 4 个传感器。这一结果代表了业界最大的硅电子自旋器件,在整个 300 毫米硅晶片的每个位置都有一个电子。

今天的硅自旋量子比特通常呈现在一个设备上,而英特尔的研究证明了整个晶圆的成功。使用 EUV 工艺,这些显示出 95% 的晶圆良率。

使用低温探测器、在 1.7 开尔文 (-271.45 °C) 下运行的量子点测试设备和强大的软件自动化,在最后一个电子上启用了 900 多个单量子点和 400 多个双点,可以在一个在不到 24 小时内高于绝对零度。

英特尔表示,其晶体管研发设施位于俄勒冈州希尔斯伯勒市 Ronler Acres 的 Gordon Moore Park 的工作代表了在英特尔主流晶体管制造工艺上扩展和制造量子芯片的一个重要里程碑。

与以前的英特尔测试芯片相比,在低温下表征的设备的良率和均匀性提高,使英特尔能够使用统计过程控制来确定制造过程中需要优化的区域。这加速了学习,代表了向商业量子计算机所需的数千甚至数百万量子比特迈出的关键一步。

此外,跨晶圆良率使英特尔能够在单电子状态下自动收集晶圆上的数据,从而实现迄今为止最大的单量子点和双量子点演示。与以前的英特尔测试芯片相比,这种在低温下表征的设备的产量和均匀性的提高代表了朝着商业量子计算机所需的数千甚至数百万量子比特迈出的关键一步。

“英特尔继续在使用自己的晶体管制造技术制造硅自旋量子比特方面取得进展,”英特尔量子硬件总监詹姆斯克拉克说。“所实现的高产量和均匀性表明,在英特尔已建立的晶体管工艺节点上制造量子芯片是一种合理的策略,并且随着技术成熟以实现商业化,是成功的有力指标。

“未来,我们将继续提高这些设备的质量并开发更大规模的系统,以这些步骤作为构建模块,帮助我们快速推进,”克拉克说。

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