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04 总结
发布时间:2022-11-17
长电科技

国产替代势在必行!随着国家政策支持、产业、创新链以及下游产业的带动,第三代半导体行业技术及产品创新将不断迎来突破。高速增长和旺盛的市场需求使外延片生产设备的国产化率进一步提高,整个半导体外延片行业呈现高景气度并有望延续。未来宽禁带半导体或将是我国实现弯道超车的重要方向。以国家第三代半导体硅基GaN领域龙头英诺赛科(Innoscience)为例,是目前全球唯一同时实现量产GaN高、低压芯片的IDM企业,于全球GaN功率市场厂商出货市占率由2020年的6%攀升至2021年的20%,排名更躍升至全球第三,其IDM模式优势在GaN产业高速发展中显现实力,能够推动产品的快速迭代,提升性能同时实现了国产GaN芯片的崛起。

对于宏光半导体而言,作为一家以IDM全产业链模式为目标的港股企业,除享受国家政策带来的利好驱动之外,香港政府未来亦会加大资源研发及制造第三代晶片。据了解,香港应用科技研究院建议增拨资源,推动国家半导体发展。在国产自主可控的宏观环境下,第三代半导体迎来了广泛的应用市场和国产替代机遇。宏光半导体凭藉在第三代半导体GaN制造方面的专业知识,以及强大科研技术团队及研发能力,相信不久将会有芯片面世,可加快实现芯片制造及产能落地,如期实现GaN增长新动力,为国产替代添上浓墨重彩的一笔!

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