韩媒:中国已将存储器技术差距缩短至2年
数据来源: 芯片大师
发布时间:2022-12-01

导读:21年8月3日,韩媒BusinessKorea报道称,随着长江存储128层堆叠的3D TLC闪存芯片量产,中韩技术差距进一步缩小。

图:长江存储2020年首次推出128层QLC

芯片大师曾报道主控、存储颗粒全自主,国产“最强”SSD发布!,阿斯加特近期推出的SSD新品配备了长江存储Xtacking 2.0架构、128层堆叠的3D TLC闪存芯片。

这意味着,长江存储128层TLC的技术成熟度和良率已经正式达到量产标准,而三星电子和SK海力士分别于2019年8月和2020年第二季度开始生产相同技术的产品。

BusinessKorea援引业内人士消息称,长江存储于2020年4月开发了该技术(128层 QLC),但由于新冠疫情及其母公司紫光集团的流动性问题,量产被推迟。长江存储在2018年底宣布跳过64层和96层,并在2020年底开始量产128层 3D NAND产品。

2018年长江存储的技术水平是32层,而三星电子早在2014年就开始制造32层产品。换句话说,按堆叠层数的量产标准来计算,中韩顶尖存储器企业之间的技术差距已经从三到四年缩短至两年。

同时韩媒分析称,目前长江存储大规模生产的影响可能相当有限,这是因为产品良率和稳定性尚待确认,且中国市场对产品的需求仍然有限。

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