辐射加固 LF42A 型高速 JFET 运算放大器
辐射加固 LF42A 型高速 JFET 运算放大器
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产品说明

产品特性

1.高速:55V/μs 转换速率

2.抗电离总剂量:大于 100krad(Si)(剂量率:0.1rad(Si)/s)

3.抗静电能力:ESD≥2000V

4.具有单位增益稳定性

产品概述

LF42A 是一款高速、高精度 JFET 输入运算放大器。具有对称的 55V/μs 的

摆率,为单位增益工作采用了内部补偿方法,仅仅不到 6mA 的电源电流就能实

现其高速特性。单位增益稳定性、900kHz 的全功率带宽、800ns 到 0.01%的快建

立时间使 LF42A 成为高速 DAC 的理想输出放大器。除了高速,高精度是其另一

个特点。输入失调电压不超过 750μV,温漂不超过 10μV/℃,因此在许多应用中

无需外部调零。对于一款高速运算放大器,在±11V 输入电压范围内共模抑制比

超过 88dB,10kΩ 负载下电压增益大于 500V/mV,有很好的线性度。此外,低

偏置电流和失调电压使其适用于采样保持电路、峰值探测器、对数放大器等。

引脚描述

防静电操作

ESD(静电放电)敏感器件。高达 4000V 的静电电荷很容易堆积在人体和

测试设备,并在不检测的情况下进行放电。即使该产品具有专门的 ESD 保护电

路,但还是可能因高能量静电电荷而引发永久性毁坏。因此,必须引入适当的防

静电措施以避免产品性能退化或功能丧失。

特性曲线

应用手册

LF42A 电路具有高速度和高增益等特性可广泛用于采样保持电路、峰值探

测器等领域。

上电要求

LF42A 器件应在其额定电源电压下工作,因为该器件所具有的环境等级、

性能参数等指标都是在此条件下测试和试验的,因此整机线路在初始设计时应直

接选取 LF42A 的推荐值作为工作电压,最大电压不应超过其额定最大电源电压。

封装信息

器件采用金属圆形 8 线(T08A4)封装。外形尺寸如图 7 和表 4 所示。

与进口电路的差异

插拔替代,在进口电路基础上增加增加抗辐照能力和抗静电能力。

总剂量:100Krad(Si),剂量率:0.1rad(Si)/s。

抗静电能力:≥2000V。

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